Publisher's Synopsis
L'industrie microélectronique a évolué vers un régime à l'échelle nanométrique qui a permis d'obtenir une faible puissance et une vitesse de commutation élevée dans les circuits électroniques. Selon l'International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020, la technologie actuelle a atteint une taille de caractéristique inférieure à 10 nm et se rapproche de 5,6 nm. Afin de maintenir la réduction d'échelle, il est non seulement essentiel de développer de nouvelles architectures de dispositifs, mais il peut également être nécessaire de remplacer le silicium. Intel a mis au point des dispositifs à base de transistors à trois grilles d'une longueur de 14 nm. Les FET à plusieurs grilles et les structures de transistor à nanofils conviennent aux noeuds technologiques inférieurs à 14 nm. Cependant, on étudie la possibilité de développer des nanofils verticaux avec des matériaux composés III-V, des matériaux d'oxyde de grille à hauteκ et des grilles métalliques plus performantes.
