Publisher's Synopsis
Przemysl mikroelektroniczny przeszedl do rezimu Nanoskali, co pozwolilo na osiagniecie niskiego poboru mocy i wysokiej szybkosci przelaczania w obwodach elektronicznych. Wedlug International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020, dzisiejsza technologia osiagnela rozmiar elementu ponizej 10nm i zmierza w kierunku 5,6nm. W celu podtrzymania skalowania nie tylko konieczne jest opracowanie nowych architektur urzadzen, ale moze byc równiez wymagane zastapienie krzemu. Intel opracowal urzadzenia oparte na tranzystorach trójbramkowych o dlugosci bramki 14nm. Wielobramkowe tranzystory FET i struktury tranzystorowe Nanowire sa odpowiednie dla technologii ponizej wezla 14nm. Jednak pionowe nanodruty opracowane z materialów zlozonych III-V, tlenków o wysokim wspólczynnikuκ i metalowych bramek maja lepsze osiagi.
