Publisher's Synopsis
L'industrie des composants ULSI exige des investissements financiers de plus en plus lourds pour mesurer la sophistication grandissante des produits fabriqu�s ainsi que pour les �quipements n�cessaires � leur �laboration. De ce fait, la mod�lisation �lectrique des composants �lectriques constitue actuellement un axe de recherche tr�s convoit� � travers le monde. Pour suivre cette �volution, les mod�les existants doivent �tre am�lior�s et de nouveaux mod�les doivent �tre d�velopp�s. Dans ce travail, on pr�sente l'applicabilit� des r�seaux de neurones pour le d�veloppement d'une approche analytique permettant l'�valuation de d�gradation des transistors MOSFETs, le d�veloppement d'un mod�le neuronal de DG MOSFET qui permet d'�tudier les circuits CMOS nanom�triques et ainsi la possibilit� de produire des abaques graphiques pour l'�tude et l'optimisation de la r�duction dimensionnelle des transistors DG MOSFETs. Les diff�rents mod�les d�velopp�s dans ce travail peuvent �tre impl�ment�s dans les simulateurs �lectroniques (SPICE, CADENCE, . .) afin de tirer des conclusions pratiques qui sont de nature � int�resser tous ceux qui sont appel�s � r�aliser des circuits de technologie ULSI.
