Publisher's Synopsis
Nei circuiti elettronici a bassa potenza e alta velocità, sono richiesti dispositivi con caratteristiche più ripide. La velocità del dispositivo aumenta con caratteristiche IV più ripide e la bassa potenza si ottiene facendo funzionare il dispositivo nella regione di sottosoglia. La misura delle correnti nella regione di sottosoglia rappresenta una grande sfida. Per ottenere una commutazione elevata, è necessario proporre un nuovo dispositivo con i vantaggi combinati di FinFET e TFET. Questa tesi propone un dispositivo ibrido con un valore SS
