Publisher's Synopsis
Nos circuitos electrónicos de baixa potência e alta velocidade, são necessários dispositivos com caraterísticas mais acentuadas. A velocidade do dispositivo aumenta com caraterísticas IV mais acentuadas, e a baixa potência é conseguida através do funcionamento do dispositivo na região sublimiar. A medição de correntes na região do sublimiar é um grande desafio. Para conseguir uma comutação elevada, é necessário propor um novo dispositivo com as vantagens combinadas do FinFET e do TFET. Esta tese propõe um dispositivo híbrido com um valor SS
