Publisher's Synopsis
Neste trabalho, é apresentada a nova célula SRAM de extremidade única 5T e 6T. Este transístor é uma célula de alta densidade ou ocupa menos área do que a célula SRAM 6T convencional. A corrente de fuga desta célula é muito baixa em comparação com outras células 5T ou 6T convencionais. É necessário um circuito de pré-carga para esta célula, tal como na célula SRAM 6T convencional. Esta célula é igualmente eficiente em termos de consumo de energia. Os resultados mostram também que os dados armazenados nesta célula são altamente estáveis. Há sempre espaço para melhorias em qualquer tipo de circuito ou aplicação. Com a configuração proposta, podemos melhorá-la com várias técnicas. Podemos alterar o rácio de aspeto da célula para obter melhores resultados. Podemos aplicar o clock gating para obter um circuito eficiente em termos de energia. Podemos melhorar o circuito periférico para obter um melhor desempenho.
