Publisher's Synopsis
Die vorliegende Arbeit befasst sich mit den ersten Elementarschritten der Silizidbildung mittels MOCVD, namlich der Adsorption von Fe(CO)_5auf Si(111)7x7 Oberflachen bei Temperaturen zwischen 100K und 700K. Besondere Beachtung fand dabei die Wirkung von Silan [29] und das Verhalten des CO's, das bei der Dissoziation von Fe(Co)_5freigesetzt wird. Dabei soll untersucht werden, ob Silan koadsobiert werden muss, um epitaktische Schichten herzustellen.